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南韓記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大記憶體擴產，讓3D NAND型記憶戰火提前引爆。市場正密切注意三星和美光的動作，擔心DRAM漲勢將提前畫下句點。

南韓記憶體大廠率先提早資本支出的行動，為兩大記憶體一片缺貨聲中，投下震撼彈。根據南韓媒體報導，SK海力士追加今年資本支出至9.6兆韓元（約86.1億美元），比年初宣布的數字增加37%，比去年的資本支出增逾五成%。


SK海力士上修資本支出，想讓新廠提前完工。SK海力士無錫廠主要以生產DRAM為主；另在南韓清州廠主要生產3D NAND Flash。這兩項新建投資原定完工時間是2019年上半年，如今將提早至明年第4季，比預定時間提早半年。

雖然SK海力士強調這是投資只要用於技術升級，即使新廠落成，也不會造成整體記憶體暴增，估計DRAM和NAND Flash產能只會增加3~5%，不會造成記憶體供過於求。

不過，SK海力士這項擴大投資，已引起法人圈擔心記憶體烏雲將提前飄至。稍早已有美系外資下修美光營運展望，導致美光股價自32.95美元高檔，連續五個交易日呈現下跌，上周五（28日）跌破30美元支撐，以29.28美元作收，跌幅3.2%，波段跌幅逾11%。

市調機構IC Insights稍早更憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、威騰、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，中國大陸還有新業者也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過於求的可能性相當高。
經濟日報 記者簡永祥／台北報導 2017-07-31 00:02
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SK海力士無錫廠 下月恢復投產

南韓DRAM大廠SK海力士積極恢復無錫廠受火災損害產能，研調機構集邦科技昨天指出，SK海力士無錫廠明年1月將可全面恢復DRAM投片，估計3月初量產，因此明年第1季末整體DRAM市場價格將開始下跌。

9月初SK海力士無錫廠發生火災，單月全球DRAM供給量減少約一成，DRAM現貨報價也因此飆高，DDR3 4Gb顆粒最高價曾於10月底到11月初時觸及4.6美元。另外，合約價漲幅雖然不及現貨價，但也呈現上揚，包括南科（2408）、華亞科都是受惠業者。

近期DRAM現貨價格稍有回檔，昨天最高為4.22美元，後續DRAM現貨與合約價格若再下探，也可能牽動相關業者的業績變化。

集邦科技指出，災後SK海力士全力修復工無錫廠，10月與11月投片量各約為3萬片及7萬片，12月投片目標為10萬片，以無錫廠滿載為13萬片來看，目標是明年1月中旬後全面恢復投片。

SK海力士購買的新設備已於12月開始移入，集邦科技表示， 設備安裝時程原本需4到6周，但SK海力士要求設備商於3周內完成。如果無錫廠投片順利恢復，SK海力士在韓國廠區緊急增加的產能將逐步回到原先水準，支援的NAND Flash產能也會移轉回去，回歸災前水準。

不過，集邦科技同時提及，由於SK海力士無錫廠的無塵室尚未全面換新，無塵室是否能回到原先乾淨的程度，將影響後續產出的良率，11月SK海力士交給PC-OEM客戶的供貨即有不足現象。
【聯合報╱記者鐘惠玲／台北報導】2013.12.13 03:24 am
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三星海力士結盟 開發下一代晶片

南韓兩大晶片廠三星電子與海力士（Hynix）25日宣布結盟，共同發展下一代的記憶體晶片，希望藉此分攤研發成本，節省未來的專利授權費用。

這種稱為自旋力矩轉移磁阻隨存記憶體（STT-MRAM）的晶片，有潛力成為下一代的主流記憶體。南韓政府因此出面協調，促成三星與海力士合作。

南韓知識經濟部長李允鎬說，這將使南韓半導體產業繼續保持領先，在下一代的晶片開發中取得先機。他說：「正當我們的半導體產業面臨外國威脅時，我樂見他們在技術上結盟。」

日本東芝、NEC與富士通先前已組成開發STT-MRAM的聯盟，將在2006-2010年間支出30億日圓（2,830億美元）的研發費用。

李允鎬說，三星與海力士的合作可以把關鍵技術留在南韓手中，避免日後對外國業者支付龐大授權費用。由於缺乏DRAM與NAND快閃記憶體的關鍵專利，南韓晶片業者目前每年必須向東芝、英特爾等公司支付數億美元的權利金。

這也是南韓半導體業者整合結盟計畫的一環。南韓官員表示，這項合作將使三星與海力士成為18吋晶圓廠的標準制訂者。兩家晶片廠承諾將採購更多南韓當地生產的晶圓材料、組件與設備。
經濟日報/編譯陳家齊/綜合首爾25日電 2008.06.26 02:51 am