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記憶體大廠美光調高財測，再加上國內業者也樂觀看待後市，認為記憶體產業市況將明顯好轉，帶動整體記憶體族群股價翻揚向上。

新冠肺炎疫情於年初爆發，當時市場擔憂恐打亂半導體景氣回升的步伐，不過在疫情之下，衍生的居家辦公、遠端上課等趨勢，帶動ＮＢ、ＰＣ、平板、遊戲機及伺服器等需求大增，使半導體產業成為疫情下的受惠者，導致目前半導體上中下游產能吃緊，漲價傳聞不絕於耳，從晶圓代工調漲代工價開始，再到後段封測廠跟進漲價，如今漲價效應不斷擴大，在近期已蔓延至記憶體產業。

利基型記憶體率先起漲

回顧記憶體價格走勢，自從貿易戰在一八年開打後，下半年造成動態隨機存取記憶體市場需求疲軟、供過於求，使價格不斷走跌，導致全年整體記憶體產業在一九年走過價格修正及庫存調整的一年。但是進入二○二○年，市場法人及多數研調機構大多預期，隨著全球市場在５Ｇ、ＡＩ、車用及物聯網等技術的成熟下，能為記憶體帶來新的創新應用，整體記憶體產業供需可望反轉，研調機構IC Insights更預測今年整體記憶體市場將出現十四％的成長力。然而，遇到一場突如其來的新冠肺炎疫情攪局，打亂了記憶體的復甦腳步，使今年來整體表現不如預期。

就在市況回穩後，半導體產業復甦，八吋晶圓代工產能吃緊，因此，聯電、世界先進等代工廠紛紛調漲價格，並表示訂單將滿到二○二一年；甚至連後端封測廠也跟進漲價，進一步擴散到利基型記憶體。根據市調機構集邦科技（TrendForce）旗下半導體研究處指出，主流利基型動態隨機存取記憶體（specialty DRAM）價格在十月回歸持平走勢後，十一月仍大致維持平盤開出，然而，受惠遠距商機下，終端需求大增，５Ｇ基礎建設更推升WiFi、路由器（Router）、數據機（Modem）等網通產品銷售暢旺，因此，有別於過去由動態隨機存取記憶體（commodity DRAM）帶動，此次DRAM價格反彈由DDR2、DDR3 1/2/4Gb等單顆小容量、小客戶的利基型記憶體價格最先上漲。同時，DDR3也在三星（Samsung）、ＳＫ海力士（SK hynix）兩大韓系廠商逐漸減少供應情況下，已成為華邦電、晶豪科、鈺創的主要市場，供給縮減為漲價的要素之一，平均月報價漲幅達一％。

除此之外，記憶體大廠美光調高本季（至十二月三日止）財測，上調營收、毛利率、每股純益等三大指數，獲利預期增幅最高可較預期翻倍成長，執行長梅羅塔（Sanjay Mehrotra）也指出，由於手機、汽車、工業與ＰＣ等銷售動能表現強勁，因此帶動營收、ＥＰＳ和毛利率均優於預期，同時對二一年的DRAM銷售釋出樂觀展望，看好DRAM有望一路旺到二一年。

產業市況提前落底

不僅美光對DRAM展望樂觀之外，國內業者包含華邦電、威剛、鈺創、力積電等業者也樂觀看待DRAM後市，不約而同認為記憶體產業有機會在二一年第一季提前落底，DRAM市況從下半年開始可望明顯好轉。

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聯合新聞網 【文／劉瓊雯】 先探投資週刊 2020-12-10 13:37
https://udn.com/news/story/6851/5081306
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記憶體看跌 台廠有壓

科技市調機構集邦科技（TrendForce）旗下半導體研究處昨（7）日發布最新報告示警，第4季記憶體產業（包含DRAM與NAND Flash）仍供過於求，價格壓力大，本季均價將再下跌約一成，下探年度最低點。隨著市況持續疲弱，南亞科（2408）、華邦等相關業者營運有壓。

各界近期對記憶體後市普遍保守，在集邦之前，美國記憶體大廠美光也看淡後市。台廠當中，南亞科將在下周一（12日）公布上季財報與本季營運展望，在美光、集邦均釋出保守訊息之下，近期新台幣走勢強勁，法人關注南亞科如何在「價跌、量縮、新台幣升值」等三大逆境下突圍。

集邦認為，儘管近期華為禁令促使其他智慧手機品牌積極拉貨，進而分食華為失去的市場份額，但此動能仍無法改善目前記憶體市場疲弱的狀況，加上伺服器需求尚未明顯復甦，預期第4季整體記憶體價格將持續走弱，單季跌幅約在10%。

以DRAM來說，市場最關注的焦點落在占消耗量大宗的行動式記憶體與伺服器記憶體領域。行動式記憶體方面，華為提前拉貨，使得三大供應商原先的庫存壓力得以迅速舒緩，而小米、OPPO、vivo急於備料，則讓相關零組件價格受到支撐，預估第4季跌幅約為5%以內。

伺服器記憶體方面，目前雲端與企業用伺服器客戶庫存普遍偏高，價格仍有進一步下探空間，預估第4季均價跌幅約15%。主流模組32GB售價也將在年底接近上一個跌價周期的低點，下探100美元至110美元區間，預估第4季DRAM整體均價跌幅約為10%。

儲存型快閃記憶體（NAND Flash）方面，雖然需求面同樣受到品牌提前拉貨支撐，然而供給位元數與現有庫存皆處於高檔，導致供過於求態勢較DRAM更為顯著。

值得關注的是，當前大陸智慧手機品牌積極拉貨，第4季eMMC與UFS類別跌幅縮小為約3%至7%；晶圓（wafer）端則因供給持續增加，續跌近二成。固態硬碟（SSD）方面，主要受到伺服器客戶拉貨動能疲弱影響，企業級SSD均價將下跌10%至15%。預估第4季NAND Flash整體均價跌幅約一成。另外，具備指標意義的現貨市場在9月中後再度轉弱，雖然在DRAM與NAND Flash的交易內，低價位的產品供貨較少，然而中高價位的產品也未有明顯交易量，導致整體市場動能萎縮。

展望2021年第1季，集邦預期，DRAM將受惠於備貨需求使跌幅大為收斂，而NAND Flash由於供應商眾多及供給位元仍處於高水位，價格恐進一步走弱，跌幅將擴大至15%。
經濟日報 / 記者張瑞益／台北報導 2020-10-08 00:37
https://udn.com/news/story/7253/4918183?from=udn_ch2_menu_v2_main_cate
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研調：第四季記憶體仍供過於求 均價估跌10%

根據TrendForce旗下半導體研究處表示，第四季記憶體產業(包含DRAM與NAND Flash)仍處於供過於求態勢，雖然近期華為受到禁令影響，促使其他智慧型手機品牌積極拉貨，分食華為失去的市場，然此動能無法改善目前疲弱的市況，加上伺服器需求尚未明顯復甦，預期第四季整體價格將持續走弱，季跌幅約10%。

以DRAM來說，TrendForce預估第四季DRAM整體均價跌幅約為10%。市場最關注的焦點落在占消耗量大宗的行動式記憶體與伺服器記憶體領域。行動式記憶體方面，華為(Huawei)提前拉貨使三大供應商原先的庫存壓力迅速舒緩，而小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo急於備料讓相關零組件價格受到支撐，預估第四季跌幅約為0~5%。伺服器記憶體方面，目前雲端與企業用伺服器客戶庫存普遍偏高，價格有進一步下探空間，預估第四季均價跌幅約15%。主流模組32GB的售價也將在年底接近上一個跌價週期的低點，來到100~110美元區間。

NAND Flash部分，預估第四季NAND Flash整體均價跌幅約一成。TrendForce指出，雖然需求面同樣受到品牌提前拉貨支撐，然而供給位元數與庫存皆處於高檔，導致供過於求態勢較DRAM顯著。隨著當前中國智慧型手機品牌積極拉貨，第四季eMMC與UFS類別跌幅縮小至約3~7%；wafer端因供給持續增加，續跌近兩成。SSD方面，受到伺服器客戶拉貨動能疲弱影響，enterprise SSD均價將下跌10~15%。

另外，具備指標意義的現貨市場在9月中後再度轉弱，雖然在DRAM與NAND Flash的交易內，低價位的產品供貨較少，然而中高價位的產品也未有明顯交易量，導致整體市場動能萎縮。

展望2021年第一季，TrendForce指出，DRAM將受惠於備貨需求使跌幅大為收斂；NAND Flash由於供應商眾多及供給位元仍處於高水位，價格恐進一步走弱，跌幅將擴大至15%。
【時報記者沈培華台北報導】2020年10月7日 下午2:17