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「以客為尊」大家朗朗上口，不過，能像荷商艾司摩爾（ASML）一樣，跟客戶保持非常「親密」關係的不多，ASML台灣區總經理劉興凱說，在荷蘭總部辦公室有張地圖，不論客戶問題在那裡，「我們就在那裡」。
台灣處地震帶，對地震災害的處理，ASML有一套機制，例如，地震發生後2小時，服務人員一定到達客戶工廠，4~6小時提出第一份評估報告與解決方案，萬一機台24小時未恢復，荷蘭總公司的專業人員，馬上會飛到台灣。
「這樣的親密關係，是ASML最重要的使命」。
ASML是全球半導體微影設備領導供應商，7月上旬，艾司摩爾才邀約英特爾、台積電和三星合資開發新技術；劉興凱說，微影設備是用極微弱的光，把電路藍圖縮小印在晶圓上，是IC製程中最關鍵的一段，隨半導體業需求，「每一次技術開發都在挑戰物理的極限」。
ASML設計的機台，通常1到1年半才交貨，一台機器要30億元，能得到客戶信任，劉興凱說，對客戶「We never say NO！」會幫客戶設想1年半後技術發展的可能變化與挑戰，「客戶的問題就是我們的問題」。
為達使命，ASML需要大量研發人才，每年投入的研發經費達200億元；公司求才也需要有「服務客戶之心」的人；面談時，他會提問：半夜3點客戶機台出事，請問你願意放棄溫暖的被窩去搶修嗎？如果遇到6、7級地震，你願先到客戶工廠修復機台，再照顧你的家人嗎？
他說，一台20~30億的機器，藉由你的巧手與知識，替客戶獲得最的利益，這份成就感，是很多半導體業者生涯中願意追求的境界。
這篇訪談內容今天下午6點30分，在IC之音「兩個關鍵」節目播出，網址：http://www.ic975.com，兩周內可重聽。
【聯合報╱記者李青霖／新竹報導】 2012.08.30 02:53 am
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極紫外光技術 ASML前景亮
三星跟進英特爾、台積電一起參與艾司摩爾合資案，業界並不意外，艾司摩爾有這3家全球半導體大廠的背書，也讓極紫外光（EUV）技術與8吋晶圓的未來發展增添好兆頭。
不過，三星僅入股ASML3%，是3家持股最少的合資者，甚至與艾司摩爾原先希望5%為1單位的計畫不符合，有人推測，三星可能面臨蘋果訴訟官司費用大增，加上記憶體市況不佳，才會成為這次入股艾司摩爾金額最少的合資者。
據了解，出資少不代表以小搏大的效用最大，因為這次艾司摩爾與3家業者談合資，是以「3：1」的方式來簽約，也就是合資者每投入1元的研發（R&D）就能拿到3單位股票，意思是說，一旦EUV開發有成，ASML因此股價水漲船高，業者每1元的投資，就有3單位的股票潛在收益。
也就是說，不管是英特爾的15%、還是台積電的5%，或者是三星的3%，都是站在「3：1」這樣的投資公平比例基礎上，此外，無論是誰，取得這項股權投資案，根據契約將有2.5年的股票閉鎖期。
【經濟日報╱記者陳碧珠／台北報導】 2012.08.28 03:04 am
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三星將入股ASML 搶未來技術
南韓三星電子公司同意投資歐洲最大晶片設備製造商荷蘭艾司摩爾（ASML）7.79億歐元（9.74億美元），繼英特爾和台積電行列之後收購艾司摩爾股權，以取得未來技術。
艾司摩爾27日宣布，三星將以5.03億歐元收購艾司摩爾3%無投票權股權，入股條件與其他計畫參與者相同，三星也將另外投資2.76億歐元在新一代微影技術的研發。艾司摩爾說：「三星電子已加入客戶共同投資創新計畫，承諾未來5年對本公司新一代微影技術的研發，貢獻2.76億歐元。」
艾司摩爾說，三星加入後，公司7月宣布所謂的共同投資計畫就此完成，艾司摩爾將不再徵求其他客戶的參與。
根據這項共同投資計畫，英特爾、台積電和三星同意現金收購艾司摩爾合計23%的少數股權，收購金額合計為38.5億歐元，讓艾司摩爾達到籌措13.8億歐元研發資金的目標。英特爾率先加入這項投資計畫，同意以25億歐元取得艾司摩爾15%股權，並提供8.3億歐元研發資金。台積電本月稍早宣布將投資2.76億歐元發展新技術，並以8.38億歐元收購5%無投票權股權。
艾司摩爾則將加速發展極紫外光（EUV）技術，這項技術將有助縮小晶片尺寸，同時能提升用於手機、平板電腦等裝置的晶片功能與速度。
艾司摩爾也計劃投資開發可生產直徑450毫米、而非標準直徑300毫米的矽晶圓，提高每一晶圓晶片數，可望降低30%到40%的成本。
【經濟日報╱編譯于倩若／綜合外電】 2012.08.28 03:04 am
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入股ASML 資策會：挑戰才開始
資策會產業情報研究所產業顧問兼副主任洪春暉昨(5)日表示，英特爾、台積電先後入股艾司摩爾(ASML)，組成強大的下世代技術設備研發陣線。但隨著製程愈先進，客戶與產品組合也愈有限，如何快速回收龐大投資效益，挑戰才剛開始。
洪春暉表示，從英特爾及台積電先後承諾投資ASML，可以看到半導體晶圓大廠對未來更先進製程，如：20奈米以下的製程技術，以及18吋晶圓廠的新一代製程，所需的製程設備有研發需求。
雖然尚未得知韓國三星的意向，但已可以確立半導體廠未來三強（英特爾、台積電及三星）鼎立的態勢，其中又以英特爾的動作最為積極。
他說，從英特爾7月初即率先表態，要投資ASML股權和出資支持其技術研究，表明要分擔ASML研發先進製程機台的風險。台積電也跟進表達，願意分擔風險及加入共同研發的意願，展現晶圓廠與設備廠商是生命共同體的陣線。
【經濟日報╱記者李珣瑛／新竹報導】 2012.08.06 01:56 am
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搶下先進製程門票 台積電資金壓力不小
台積電宣布入股艾司摩爾（ASML），雖可化解外界憂心先進製程先被英特爾卡位的疑慮，但這次台積電總投資金額逾410億元，未來還有擴產資金需求，在景氣仍混沌下，台積電未來資金調度壓力不小。
據了解，台積電一開始對投資ASML的意願不高，主要便是考量公司從未一次投入「鉅資」、壓重注在設備廠上。
即使考量未來在先進製程或許會採用電子光束（E-Beam），台積電投資從事開發這類技術的廠商，投資金額也是非常小，原因就是還無法瞭解未來微影設備E-Beam會先成熟，還是極紫外光（EUV）會先成熟，台積電不想投下龐大的資金去賭任何一方。
業界人士分析，台積電專攻晶圓代工，不管E-Beam或EUV誰能先達到合理成本化，台積電都有實力購買機台，不必大費周章入股設備商，就如同「要喝牛奶，沒有必要買一頭牛」的道理一般。
【經濟日報╱記者簡永祥、陳碧珠／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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卡位18吋 台積三星英特爾激戰
台積電昨（5）日宣布，將投資晶片設備商艾司摩爾（ASML）11.14億歐元（約新台幣410億元），加速下一世代關鍵技術極紫外光（EUV）與18吋晶圓微影設備開發及量產，成為繼英特爾之後，第2家加入投資ASML的半導體大廠。
台積電將斥資 8.38億歐元（約新台幣308億元），取得ASML 5%股權，並承諾未來5年共投入2.76億歐元（約新台幣102億元），支持ASML的研發計畫。台積電截至第2季底，手中現金及約當現金約1,784億元，投資ASML資金不虞匱乏，但這項投資案的總金額也高達手上現金約25%。
這是台積電繼投資從事電子光束研發的美商Mapper後，第2宗大手筆投資設備商且資助其先進設備研發的行動，宣示台積電跨入18吋晶圓生產的決心。台積電上周五收盤價79.8元，小跌0.2元。
ASML發出的投資邀約對象中，已獲得英特爾、台積電正面回應，以英特爾出資33億歐元（約新台幣1,214.4億元），取得ASML 15%股權，並協助ASML研發，手筆最大；台積電投資的規模，僅約英特爾的33%。同樣收到ASML投資邀約的三星，尚未表態。
台積電董事長張忠謀先前曾表示，「台積電沒有投資ASML的急迫性」，讓市場一度以為台積電可能不考慮參股ASML。據了解，台積電近1個月突然加速與ASML會商，昨天正式達成協議並簽約，台積電也立即對外宣布這項合作案，但並未透露何時完成入股ASML。
圖:ASML邀約3大晶圓廠合作案 http://a4112.pixnet.net/blog/post/25456972
這項合作案是由台積電執行副總經理暨共同營運長蔣尚義，與ASML執行長艾瑞克（Eric Meurice）簽訂。 蔣尚義表示，台積電挹注ASML研發經費，將確保並加快EUV 微影技術的開發，同時也能提高既有光學微影工具的效能，促進18吋晶圓製造技術的快速發展。
台積電預期，與ASML合作開發下一世代關鍵設備，將有助半導體產業控制晶圓成本，突破縮小IC尺寸所面臨的挑戰，保障摩爾定律持續演進可帶來的經濟效益。這也是台積電與ASML先前共同開發193微米浸潤式微影技術之後，雙方長期合作關係的延伸。
【經濟日報╱記者簡永祥、陳碧珠／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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台積電入股ASML 外資不意外
針對台積電入股荷蘭艾司摩爾（ASML）公司，外資昨（5）日表示「並不意外」，因為英特爾先行宣布投資ASML 15%股權，而且ASML又同時向台積電、三星發出投資邀約，台積電基於競爭力考量，入股是十分合理的結果。
外資主管強調，台積電入股ASML屬於中性的訊息，短線上股價仍回歸基本面。
摩根士丹利證券指出，若以台積電基本面來看，估計第3季營收季增6%至8%，比市場預期5%來得好。不過，第4季面臨庫存修正，今年第4季、明年第1季的營收季增率恐是負數。
巴克萊亞太半導體首席分析師陸行之對台積電持中性看法，目前目標價84元，投資評等為「中立」。陸行之的觀點是，台積電短期風險難以避免，龐大資本支出恐影響現金流及毛利率。
【經濟日報╱記者溫建勳／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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新聞分析－半導體產業進入三強鼎立時代
全球半導體產業過去百家爭鳴，但未來將進入三強鼎立的新時代。為了加速18吋晶圓及極紫外光（EUV）微影技術開發工作，英特爾7月宣佈加入由微影設備大廠艾司摩爾（ASML）發起的「客戶聯合投資專案」，台積電昨日也宣佈跟進，當然，下一個跟進的當然會是韓國三星電子。
ASML客戶聯合投資專案，包括合組研發基金計畫，加速18吋晶圓及EUV微影技術開發，同時也釋出最多25％股權讓客戶入股，以做為未來18吋晶圓及EUV微影設備推出後的交貨保證。
英特爾7月投入33億歐元，佔了研發基金的6成，並取得ASML共15％股權。台積電昨日宣佈投入約11.14億歐元，佔了研發基金的2成，取得ASML共5％股權，後續三星若宣佈加入這項計畫，總投資金額及取得ASML股權部份，均會與台積電相同。
攤開過去30年的半導體發展歷史，主導市場超過20年的IDM廠，至今幾乎都放棄了自主研發及蓋廠的老路，只剩下英特爾還成功固守IDM商業模式，當年超微創辦人Jerry Sanders的「Real men have fabs」（有晶圓廠才叫真男人）的經典名言，現在聽來反而格外另人莞爾。
打破IDM廠營運模式的人，正是台積電董事長張忠謀一手創立的晶圓代工商業模式，隨著功能型手機、個人電腦、智慧型手機、平板等殺手級產品的周期循環一再推進，晶圓代工廠的價值愈顯高貴，就算是靠著記憶體擁有一片天的三星，近年來所以能夠快速崛起，也是因為利用晶圓代工商業模式，才拿下蘋果ARM處理器1年10億美元的代工大單。
半導體產業的摩爾定律仍然有效，但要更有效的降低生產成本，以符合終端電子產品的景氣循環及降價速度，接下來的最大關卡，就是18吋晶圓及EUV技術，未來有能力加入這場遊戲的業者，只剩下英特爾、台積電、三星等3家大廠。
英特爾此次率先與ASML建立合作架構，台積電順水推舟加入，其中代表的意義，就是過去一直被IDM廠看不起的晶圓代工商業模式是成功的，台積電現在已經是與英特爾平起平坐的國際級大廠。
工商時報/ 涂志豪 2012-08-06 01:08
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[特別報導]ASML壓寶極紫外光成為下世代微影技術主流 2010年將步入正式量產期
晶圓生產流程中，最重要且關鍵的製程技術，莫過於微影(Lithography)。微影設備機台動輒上千萬，絕對是晶圓製造設備金額花費的前幾名。而微影技術發展從各大廠放棄157奈米乾式微影，轉由採用現今主流的浸潤式微影。儘管如此，浸潤式微影技術還是有其物理極限，因此微影設備供應商皆紛紛投資研發次世代微影技術。ASML認為，極紫外光技術(Extreme Ultraviolet , EUV)是目前唯一能在32奈米以下微影製程達成高產量的技術與機會，而其運用二次圖樣(double pattern)技術的方式，更可以在波長13.5奈米、數值孔徑0.25下，達到k1係數0.59。極紫外光技術未來更可能將波長縮短至僅10奈米，而極紫外光技術應該會在2010年後正式步入量產階段。
ASML市場暨技術行政副總裁Martin van den Brink表示，ASML所提供的TWINSCAN系統為目前市場上佔有率極高的設備。截至目前為止，TWINSCAN已經出貨超過720台以上，僅僅亞洲就有500台以上的成績，市佔率超過60%。而浸潤式微影機台目前總出貨則超過50台以上。
Brink表示，ASML提供各種不同波長、數值孔徑(NA)的KrF、ArF等解決方案，以提供客戶不同世代製程使用。未來，針對次世代奈米製程，ASML將提供極紫外光微影技術，該技術波長僅13.5奈米，在數值孔徑為0.45的狀況下，到2015年k1係數可達0.37。Brink表示，現今超高數值孔徑的浸潤式微影技術，半間距為45奈米，k1係數仍大於0.31，但其解析度(resolution)可到40奈米。
浸潤式微影技術可以大幅增加晶圓產量，截至2007年4月，全球共有120萬片晶圓是由浸潤式微影技術生產出來。Brink表示，ASML獨特的雙晶圓平台(dual wafer stage)浸潤式微影設備，可縮短生產時間。不同於一般單晶圓平台(single wafer stage)設計，使用雙晶圓平台設計，即使是乾式量測(dry metrology)亦可以在晶圓上進行，而使用一般單一平台設計，並不能直接在晶圓上進行乾式量測，而只能進行部份校正工作，因此可大幅提升生產效率。總結來說，雙晶圓平台設計帶來的好處包括高精準度、提升生產力、乾式量測與曝光(exposure)過程並行、成本降低、鏡頭運利用效率最大化等等。
「ASML在浸潤式微影技術上已經累積了四代的經驗，從2003年AT:1150i應用於90奈米製程，同時也是第一代掃瞄浸潤式微影影像的機台。後來，我們陸續推出XT:1250i、XT:1400i、XT:1700i等，最近則將陸續出貨XT:1900i。我們預期，XT:1900i未來可以持續延伸應用於40奈米以下製程。」Brink表示，「運用水為介質的浸潤式微影技術在製程上還是有其物理極限，特別是當數值孔徑到1.55時，必須採用新的液體介質、新鏡片，才能將製程延伸到32奈米以下。因此，我們改採利用降低波長到13.5奈米的方式，開創出極紫外光微影技術。」ASML認為，極紫外光是目前唯一能在32奈米以下微影製程達成高產量的技術與機會，而其運用二次圖樣技術的方式，更可以在波長13.5奈米、數值孔徑0.25下，達到k1係數0.59。Brink說，極紫外光技術未來更可能將波長縮短至僅10奈米，而極紫外光技術應該會在2010年後正式步入量產階段。ASML目前亦獲得三張極紫外光設備訂單，預計於2009年底交貨。SST-AP/Taiwan
極紫外光技術白皮書
數十年來半導體的微影製程並不比之前描述的複雜太多。但現今的製程確實是變得非常複雜。如今ASML的掃描機已被推進到技術上的極限，並且運作於物理定律的邊緣。
但物理上的限制並不是半導體技術的唯一關鍵。還要考慮成本的問題。半導體技術的進化以及成本降低都有賴於晶片上線路的微小化。簡單來說，更細的線路可以容許在同一的空間裡放進更多的電晶體，且提高性能(電晶體的速度會隨著電晶體的縮小而增快)及增加更多的功能。或者也可以藉此來縮小晶片本身，而非用來增加晶片上的電晶體的數目。這樣就可以在同樣尺寸的晶圓上製造出更多的晶片，單一晶片的成本就會因此而降低。
一直以來，線路尺寸不斷在縮小─這就是“摩爾定律”持續不斷降低每個功能成本背後的動力。對於微影工程師而言，要曝印出越來越小的線路就需要到用到更短波長的光線─從1960年代的白光到1970年代紫外光，再到1980年代後期的“深紫外光”，在那時候第一種使用248奈米光源的微影系統已開始出現。現在最先進的系統則是利用193奈米的光源─但是與先前的系統不同的地方，就是現在的系統需要把等同於波長三分之一的最小元件結構曝印出來。這在十年前是一件被認為不可能的事，新一代的設備在技術上也將繼續面臨這重重的挑戰。
在每部ASML掃描機裡最先進技術機構之一就是有如木桶般大小、價值數百萬美元的鏡頭。現在唯一類似的光學技術只在間諜衛星裡才找得到。另一個具同樣關鍵性的技術就是掃描機能夠把每一層的電路與它下一層電路以接近完美的上下對準曝印出來。這稱為疊對規格的對準精確度是掃描機所能曝印最小元件結構的四分之一至三分之一。在ASML最先進的掃描機裡，這意謂著每一曝光步驟的疊對是7奈米─大概是21粒矽原子的大小─未來的需求將會更小。
ASML的步進機及掃描機還有其它先進技術提供晶片產業在縮小設計的同時仍能維持其收益。除了先進的鏡頭技術及晶圓對準，還有ASML TWINSCANTM平台的雙晶圓平台技術。ASML在1996就著手開發TWINSCAN，並且在2000年公開發表了第一部基於這技術的曝光系統。在TWINSCAN掃描機出現前，半導體微影系統只是利用單一晶圓平台，在晶圓曝光時，下一片晶圓只能在適當的位置等待。這就表示曝光的動作不能和測量端的晶圓對準同時發生。TWINSCAN的雙晶圓平台技術容許這測量獨立地運作，一片晶圓在曝光而另外一片晶圓可以同時被測量。藉此TWINSCAN的產能大大的地提升，並且ASML掃描機的效率及成本有效性因此而增加。雙晶圓平台技術也被證實很容易地應用於最新浸潤式的光學微影，這技術是把液體放在鏡頭組件的尾端及晶圓表面之間來提高解析度。
ASML開發它的雙晶圓平台技術及浸潤式技術是因為它的顧客們絲毫沒有顯露出要減緩微縮設計速度的跡象。換句話說摩爾定律仍然是適用的。但如果這產業要遵循這個定律且要繼續賺錢的話，它需要那些擁有可以儘快把技術從實驗室帶到生產線的能力及專門技術的夥伴們。這就是為何ASML如此致力於確保它的顧客們，在他們需要時就可以擁有它們所需要的微影技術。
籌劃下一代的微影技術
極紫外光微影(EUV)很可能接續半導體工業近幾年使用的深紫外光(DUV)微影光學技術。雖然ASML及其它技術領導者已把傳統的影像技術延伸至前所未見的領域，晶片製造業已開始準備極紫外光微影，很多人都相信這可能是在32奈米及以下的技術節點所必需的。
正如它在開發浸潤技術時一樣，ASML已獲得極紫外光微影開發的領先地位。 在2006年1月ASML在它位於荷蘭維多芬總部用Alpha版極紫外光微影示範工具(ADT)製成世上了第一個200奈米以下的影像。一個月後ASML在每年一次的國際光學工程協會的微細微影會議展示了以Alpha版極紫外光微影示範工具曝印的40奈米及35奈米元件結構的影像，揭露了這技術在製造32奈米的可能性。隨著在8月公司又遞交了兩部Alpha版示範工具給歐洲(比利時IMEC)及美國(紐約州Albany大學奈米科學和工程學院)的研究夥伴，這是這產業裡前所未有的，開創了極紫外光微影的里程碑。雖然這是ASML及產業界歷史性的成就，作為微影技術的領導者，早在七年多前，ASML就毫不懈怠地持續開發極紫外光微影技術。
ASML開發極紫外光微影技術的驅動力也同樣驅使著晶片微影及整體產業：正如在此討論的，晶片的縮小化不但增加它們的性能，更能使製造更為經濟。因此在過去數十年來微影技術的重點總是在如何把越來越小的電路製作到晶圓上。多年來得做法常常就是把曝光系統的光線波長降低。降低波長是一個增加掃描機/步進機解析度或製造更小的元件結構影像最直接的辦法。
還有其它兩個提高解析度的要素：數值孔徑(NA)及常常被簡稱為k1的製程因子。簡單地來說，數值孔徑與造像所使用光線的“亮度”有關，並且是直接被曝光系統的鏡片成分及其它光學元件影響。更高的數值孔徑就會使解析度更好，並且影像會更清楚。製程因子或k1值是一個數學的常數，與微影製程的難度是成為正比。在一個固定數值孔徑值的系統裡，那麼基本上更小的k1值就會形成更好的解析度。極紫外光微影主要的優點就是可以實現波長及數值孔徑的結合，這樣可以使k1值對達成更佳解析度的影響的重要性減少。極紫外光微影是不像當前最前端的技術，無需使用複雜的技巧來提高解析度，二階光罩及傳統的光學投射將可以再使用好幾個技術世代。
然而單純的改變系統所使用的光線波長並不是易如反掌。每次微影製程的光線波長縮短時，不僅是需要新的光源而是全部有關的基礎設施都需要更改。新鏡片、新光罩、新光阻、甚至新光學材料─都要一一開發並且要可以量產，這些都是會提高生產費用的。這就是為什麼這產業盡可能在數個技術世代裡使用已開發的波長，典型地是三或四代，只有當處理較小元件結構的難度太高或太昂貴時才會使用新的波長。這是ASML開發浸潤技術的原動力，這起碼可以延長193奈米技術及相關的基礎設施一代也許兩代的時間。這也是為何ASML與它的客戶及夥伴們同時在開發其他可以延伸193奈米技術的方法，例如雙圖樣微影。然而ASML仍然計劃確保極紫外光微影當在延伸193奈米技術的成本效果不彰或無法解決客戶最小元件結構設計要求時可以使用。
極紫外光微影：新時代隨著新科技來臨
從最廣義的觀點來說，極紫外光微影雖然常常被稱為下一代的技術，但因為它仍是使用光線在晶圓上製造影像，所以仍是一種光學技術。極紫外光微影系統仍然保有例如光源及光學成分等傳統步進機/掃描機的標準元件，且同樣需要與光罩一起使用在晶圓上製造電路圖形。
除了一般的觀念外，這些也是僅有的相似點。事實上ASML的極紫外光微影技術是一個技術大飛躍的指標。浸潤系統利用傳統雷射產生193奈米波長的深紫外光曝光光源，極紫外光微影則是利用離子化的氣體或電漿所產生的光線。在離子化過程中激發光的波長非常的短，祇有13.5奈米，遠遠短過肉眼可看見的光譜。ASML的Alpha版極紫外光微影示範工具將這激發的光線，透過一連串的反射光學鏡，將光罩上的圖案投射到晶圓上。
ASML運送到美國及歐洲的0.25數值孔徑全尺寸示範工具融合了大部份在TWINSCAN 平台驗證過的技術。ASML現在計劃使用 TWINSCAN 平台來建造未來的極紫外光微影系統，但是正如它名字的意涵，很多Alpha版示範工具的元件仍在開發中並且需要改良。ASML在開發Alpha版示範工具時遭遇到一些極紫外光微影帶來的技術性挑戰，在把技術導入生產的過程中ASML仍需繼續面對這些挑戰，不像其他所有現在仍在使用的微影生產系統，極紫外光微影架構於真空的技術上，因為全部的材料、包括空氣都吸收電漿所產生的光線。
為了要最早把極紫外光微影系統帶來給它的客戶們，ASML不只要創造一個真空的環境，並且要把新的電漿光源最佳化、特別調整光學系統以提供最大的能量及最低的污染或對光的吸收，例如包括在光學系統裡的鏡子及反射式光罩一定要研磨到完美的地步，真空的環境也需要在無法使用保護膜的情況下來保護光罩，以便將光源的吸收減到最小。在ASML工程師面臨於這些嚴峻的挑戰時，產業裡的夥伴們正在開發極紫外光微影所需的基礎設施：電漿光源、光罩及光阻。
ASML的Alpha版極紫外光微影示範工具的裝運是由一組分別從ASML、卡爾蔡司(Carl Zeiss)及研究夥伴荷蘭應用科學研究組織(TNO Science and Industry) 及 飛利浦應用科技 (Philips Applied Technology) 挑選出來大約250人的團隊，總共花了1,200個人工年的重大成就。密集的研究繼續在進行中，因為許多產業界的觀察者及ASML自已的客戶都相信32-nm元件的研發及量產也許在2009年時就需要用到極紫外光微影的步進機及掃描機。一如往常，ASML會確保這項微影技術的躍進會在客戶需要的時候就已準備好。SST-AP/Taiwan
圖一：2006年獲得SEMI Award的ASML市場暨技術行政副總裁Martin van den Brink
圖二：雙晶圓平台與單晶圓平台流程示意圖(資料來源：ASML)
半導體科技/文/ASML 摘錄整理/于嘉言/荷蘭維荷芬(Veldhoven)採訪報導
半導體科技 No.70 發行時間：2007/8
http://ssttpro.acesuppliers.com/meg/meg_1_4023122820071619285876806_8318.html
台灣處地震帶，對地震災害的處理，ASML有一套機制，例如，地震發生後2小時，服務人員一定到達客戶工廠，4~6小時提出第一份評估報告與解決方案，萬一機台24小時未恢復，荷蘭總公司的專業人員，馬上會飛到台灣。
「這樣的親密關係，是ASML最重要的使命」。
ASML是全球半導體微影設備領導供應商，7月上旬，艾司摩爾才邀約英特爾、台積電和三星合資開發新技術；劉興凱說，微影設備是用極微弱的光，把電路藍圖縮小印在晶圓上，是IC製程中最關鍵的一段，隨半導體業需求，「每一次技術開發都在挑戰物理的極限」。
ASML設計的機台，通常1到1年半才交貨，一台機器要30億元，能得到客戶信任，劉興凱說，對客戶「We never say NO！」會幫客戶設想1年半後技術發展的可能變化與挑戰，「客戶的問題就是我們的問題」。
為達使命，ASML需要大量研發人才，每年投入的研發經費達200億元；公司求才也需要有「服務客戶之心」的人；面談時，他會提問：半夜3點客戶機台出事，請問你願意放棄溫暖的被窩去搶修嗎？如果遇到6、7級地震，你願先到客戶工廠修復機台，再照顧你的家人嗎？
他說，一台20~30億的機器，藉由你的巧手與知識，替客戶獲得最的利益，這份成就感，是很多半導體業者生涯中願意追求的境界。
這篇訪談內容今天下午6點30分，在IC之音「兩個關鍵」節目播出，網址：http://www.ic975.com，兩周內可重聽。
【聯合報╱記者李青霖／新竹報導】 2012.08.30 02:53 am
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極紫外光技術 ASML前景亮
三星跟進英特爾、台積電一起參與艾司摩爾合資案，業界並不意外，艾司摩爾有這3家全球半導體大廠的背書，也讓極紫外光（EUV）技術與8吋晶圓的未來發展增添好兆頭。
不過，三星僅入股ASML3%，是3家持股最少的合資者，甚至與艾司摩爾原先希望5%為1單位的計畫不符合，有人推測，三星可能面臨蘋果訴訟官司費用大增，加上記憶體市況不佳，才會成為這次入股艾司摩爾金額最少的合資者。
據了解，出資少不代表以小搏大的效用最大，因為這次艾司摩爾與3家業者談合資，是以「3：1」的方式來簽約，也就是合資者每投入1元的研發（R&D）就能拿到3單位股票，意思是說，一旦EUV開發有成，ASML因此股價水漲船高，業者每1元的投資，就有3單位的股票潛在收益。
也就是說，不管是英特爾的15%、還是台積電的5%，或者是三星的3%，都是站在「3：1」這樣的投資公平比例基礎上，此外，無論是誰，取得這項股權投資案，根據契約將有2.5年的股票閉鎖期。
【經濟日報╱記者陳碧珠／台北報導】 2012.08.28 03:04 am
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三星將入股ASML 搶未來技術
南韓三星電子公司同意投資歐洲最大晶片設備製造商荷蘭艾司摩爾（ASML）7.79億歐元（9.74億美元），繼英特爾和台積電行列之後收購艾司摩爾股權，以取得未來技術。
艾司摩爾27日宣布，三星將以5.03億歐元收購艾司摩爾3%無投票權股權，入股條件與其他計畫參與者相同，三星也將另外投資2.76億歐元在新一代微影技術的研發。艾司摩爾說：「三星電子已加入客戶共同投資創新計畫，承諾未來5年對本公司新一代微影技術的研發，貢獻2.76億歐元。」
艾司摩爾說，三星加入後，公司7月宣布所謂的共同投資計畫就此完成，艾司摩爾將不再徵求其他客戶的參與。
根據這項共同投資計畫，英特爾、台積電和三星同意現金收購艾司摩爾合計23%的少數股權，收購金額合計為38.5億歐元，讓艾司摩爾達到籌措13.8億歐元研發資金的目標。英特爾率先加入這項投資計畫，同意以25億歐元取得艾司摩爾15%股權，並提供8.3億歐元研發資金。台積電本月稍早宣布將投資2.76億歐元發展新技術，並以8.38億歐元收購5%無投票權股權。
艾司摩爾則將加速發展極紫外光（EUV）技術，這項技術將有助縮小晶片尺寸，同時能提升用於手機、平板電腦等裝置的晶片功能與速度。
艾司摩爾也計劃投資開發可生產直徑450毫米、而非標準直徑300毫米的矽晶圓，提高每一晶圓晶片數，可望降低30%到40%的成本。
【經濟日報╱編譯于倩若／綜合外電】 2012.08.28 03:04 am
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入股ASML 資策會：挑戰才開始
資策會產業情報研究所產業顧問兼副主任洪春暉昨(5)日表示，英特爾、台積電先後入股艾司摩爾(ASML)，組成強大的下世代技術設備研發陣線。但隨著製程愈先進，客戶與產品組合也愈有限，如何快速回收龐大投資效益，挑戰才剛開始。
洪春暉表示，從英特爾及台積電先後承諾投資ASML，可以看到半導體晶圓大廠對未來更先進製程，如：20奈米以下的製程技術，以及18吋晶圓廠的新一代製程，所需的製程設備有研發需求。
雖然尚未得知韓國三星的意向，但已可以確立半導體廠未來三強（英特爾、台積電及三星）鼎立的態勢，其中又以英特爾的動作最為積極。
他說，從英特爾7月初即率先表態，要投資ASML股權和出資支持其技術研究，表明要分擔ASML研發先進製程機台的風險。台積電也跟進表達，願意分擔風險及加入共同研發的意願，展現晶圓廠與設備廠商是生命共同體的陣線。
【經濟日報╱記者李珣瑛／新竹報導】 2012.08.06 01:56 am
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搶下先進製程門票 台積電資金壓力不小
台積電宣布入股艾司摩爾（ASML），雖可化解外界憂心先進製程先被英特爾卡位的疑慮，但這次台積電總投資金額逾410億元，未來還有擴產資金需求，在景氣仍混沌下，台積電未來資金調度壓力不小。
據了解，台積電一開始對投資ASML的意願不高，主要便是考量公司從未一次投入「鉅資」、壓重注在設備廠上。
即使考量未來在先進製程或許會採用電子光束（E-Beam），台積電投資從事開發這類技術的廠商，投資金額也是非常小，原因就是還無法瞭解未來微影設備E-Beam會先成熟，還是極紫外光（EUV）會先成熟，台積電不想投下龐大的資金去賭任何一方。
業界人士分析，台積電專攻晶圓代工，不管E-Beam或EUV誰能先達到合理成本化，台積電都有實力購買機台，不必大費周章入股設備商，就如同「要喝牛奶，沒有必要買一頭牛」的道理一般。
【經濟日報╱記者簡永祥、陳碧珠／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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卡位18吋 台積三星英特爾激戰
台積電昨（5）日宣布，將投資晶片設備商艾司摩爾（ASML）11.14億歐元（約新台幣410億元），加速下一世代關鍵技術極紫外光（EUV）與18吋晶圓微影設備開發及量產，成為繼英特爾之後，第2家加入投資ASML的半導體大廠。
台積電將斥資 8.38億歐元（約新台幣308億元），取得ASML 5%股權，並承諾未來5年共投入2.76億歐元（約新台幣102億元），支持ASML的研發計畫。台積電截至第2季底，手中現金及約當現金約1,784億元，投資ASML資金不虞匱乏，但這項投資案的總金額也高達手上現金約25%。
這是台積電繼投資從事電子光束研發的美商Mapper後，第2宗大手筆投資設備商且資助其先進設備研發的行動，宣示台積電跨入18吋晶圓生產的決心。台積電上周五收盤價79.8元，小跌0.2元。
ASML發出的投資邀約對象中，已獲得英特爾、台積電正面回應，以英特爾出資33億歐元（約新台幣1,214.4億元），取得ASML 15%股權，並協助ASML研發，手筆最大；台積電投資的規模，僅約英特爾的33%。同樣收到ASML投資邀約的三星，尚未表態。
台積電董事長張忠謀先前曾表示，「台積電沒有投資ASML的急迫性」，讓市場一度以為台積電可能不考慮參股ASML。據了解，台積電近1個月突然加速與ASML會商，昨天正式達成協議並簽約，台積電也立即對外宣布這項合作案，但並未透露何時完成入股ASML。
圖:ASML邀約3大晶圓廠合作案 http://a4112.pixnet.net/blog/post/25456972
這項合作案是由台積電執行副總經理暨共同營運長蔣尚義，與ASML執行長艾瑞克（Eric Meurice）簽訂。 蔣尚義表示，台積電挹注ASML研發經費，將確保並加快EUV 微影技術的開發，同時也能提高既有光學微影工具的效能，促進18吋晶圓製造技術的快速發展。
台積電預期，與ASML合作開發下一世代關鍵設備，將有助半導體產業控制晶圓成本，突破縮小IC尺寸所面臨的挑戰，保障摩爾定律持續演進可帶來的經濟效益。這也是台積電與ASML先前共同開發193微米浸潤式微影技術之後，雙方長期合作關係的延伸。
【經濟日報╱記者簡永祥、陳碧珠／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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台積電入股ASML 外資不意外
針對台積電入股荷蘭艾司摩爾（ASML）公司，外資昨（5）日表示「並不意外」，因為英特爾先行宣布投資ASML 15%股權，而且ASML又同時向台積電、三星發出投資邀約，台積電基於競爭力考量，入股是十分合理的結果。
外資主管強調，台積電入股ASML屬於中性的訊息，短線上股價仍回歸基本面。
摩根士丹利證券指出，若以台積電基本面來看，估計第3季營收季增6%至8%，比市場預期5%來得好。不過，第4季面臨庫存修正，今年第4季、明年第1季的營收季增率恐是負數。
巴克萊亞太半導體首席分析師陸行之對台積電持中性看法，目前目標價84元，投資評等為「中立」。陸行之的觀點是，台積電短期風險難以避免，龐大資本支出恐影響現金流及毛利率。
【經濟日報╱記者溫建勳／台北報導】 2012.08.06 01:56 am
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新聞分析－半導體產業進入三強鼎立時代
全球半導體產業過去百家爭鳴，但未來將進入三強鼎立的新時代。為了加速18吋晶圓及極紫外光（EUV）微影技術開發工作，英特爾7月宣佈加入由微影設備大廠艾司摩爾（ASML）發起的「客戶聯合投資專案」，台積電昨日也宣佈跟進，當然，下一個跟進的當然會是韓國三星電子。
ASML客戶聯合投資專案，包括合組研發基金計畫，加速18吋晶圓及EUV微影技術開發，同時也釋出最多25％股權讓客戶入股，以做為未來18吋晶圓及EUV微影設備推出後的交貨保證。
英特爾7月投入33億歐元，佔了研發基金的6成，並取得ASML共15％股權。台積電昨日宣佈投入約11.14億歐元，佔了研發基金的2成，取得ASML共5％股權，後續三星若宣佈加入這項計畫，總投資金額及取得ASML股權部份，均會與台積電相同。
攤開過去30年的半導體發展歷史，主導市場超過20年的IDM廠，至今幾乎都放棄了自主研發及蓋廠的老路，只剩下英特爾還成功固守IDM商業模式，當年超微創辦人Jerry Sanders的「Real men have fabs」（有晶圓廠才叫真男人）的經典名言，現在聽來反而格外另人莞爾。
打破IDM廠營運模式的人，正是台積電董事長張忠謀一手創立的晶圓代工商業模式，隨著功能型手機、個人電腦、智慧型手機、平板等殺手級產品的周期循環一再推進，晶圓代工廠的價值愈顯高貴，就算是靠著記憶體擁有一片天的三星，近年來所以能夠快速崛起，也是因為利用晶圓代工商業模式，才拿下蘋果ARM處理器1年10億美元的代工大單。
半導體產業的摩爾定律仍然有效，但要更有效的降低生產成本，以符合終端電子產品的景氣循環及降價速度，接下來的最大關卡，就是18吋晶圓及EUV技術，未來有能力加入這場遊戲的業者，只剩下英特爾、台積電、三星等3家大廠。
英特爾此次率先與ASML建立合作架構，台積電順水推舟加入，其中代表的意義，就是過去一直被IDM廠看不起的晶圓代工商業模式是成功的，台積電現在已經是與英特爾平起平坐的國際級大廠。
工商時報/ 涂志豪 2012-08-06 01:08
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[特別報導]ASML壓寶極紫外光成為下世代微影技術主流 2010年將步入正式量產期
晶圓生產流程中，最重要且關鍵的製程技術，莫過於微影(Lithography)。微影設備機台動輒上千萬，絕對是晶圓製造設備金額花費的前幾名。而微影技術發展從各大廠放棄157奈米乾式微影，轉由採用現今主流的浸潤式微影。儘管如此，浸潤式微影技術還是有其物理極限，因此微影設備供應商皆紛紛投資研發次世代微影技術。ASML認為，極紫外光技術(Extreme Ultraviolet , EUV)是目前唯一能在32奈米以下微影製程達成高產量的技術與機會，而其運用二次圖樣(double pattern)技術的方式，更可以在波長13.5奈米、數值孔徑0.25下，達到k1係數0.59。極紫外光技術未來更可能將波長縮短至僅10奈米，而極紫外光技術應該會在2010年後正式步入量產階段。
ASML市場暨技術行政副總裁Martin van den Brink表示，ASML所提供的TWINSCAN系統為目前市場上佔有率極高的設備。截至目前為止，TWINSCAN已經出貨超過720台以上，僅僅亞洲就有500台以上的成績，市佔率超過60%。而浸潤式微影機台目前總出貨則超過50台以上。
Brink表示，ASML提供各種不同波長、數值孔徑(NA)的KrF、ArF等解決方案，以提供客戶不同世代製程使用。未來，針對次世代奈米製程，ASML將提供極紫外光微影技術，該技術波長僅13.5奈米，在數值孔徑為0.45的狀況下，到2015年k1係數可達0.37。Brink表示，現今超高數值孔徑的浸潤式微影技術，半間距為45奈米，k1係數仍大於0.31，但其解析度(resolution)可到40奈米。
浸潤式微影技術可以大幅增加晶圓產量，截至2007年4月，全球共有120萬片晶圓是由浸潤式微影技術生產出來。Brink表示，ASML獨特的雙晶圓平台(dual wafer stage)浸潤式微影設備，可縮短生產時間。不同於一般單晶圓平台(single wafer stage)設計，使用雙晶圓平台設計，即使是乾式量測(dry metrology)亦可以在晶圓上進行，而使用一般單一平台設計，並不能直接在晶圓上進行乾式量測，而只能進行部份校正工作，因此可大幅提升生產效率。總結來說，雙晶圓平台設計帶來的好處包括高精準度、提升生產力、乾式量測與曝光(exposure)過程並行、成本降低、鏡頭運利用效率最大化等等。
「ASML在浸潤式微影技術上已經累積了四代的經驗，從2003年AT:1150i應用於90奈米製程，同時也是第一代掃瞄浸潤式微影影像的機台。後來，我們陸續推出XT:1250i、XT:1400i、XT:1700i等，最近則將陸續出貨XT:1900i。我們預期，XT:1900i未來可以持續延伸應用於40奈米以下製程。」Brink表示，「運用水為介質的浸潤式微影技術在製程上還是有其物理極限，特別是當數值孔徑到1.55時，必須採用新的液體介質、新鏡片，才能將製程延伸到32奈米以下。因此，我們改採利用降低波長到13.5奈米的方式，開創出極紫外光微影技術。」ASML認為，極紫外光是目前唯一能在32奈米以下微影製程達成高產量的技術與機會，而其運用二次圖樣技術的方式，更可以在波長13.5奈米、數值孔徑0.25下，達到k1係數0.59。Brink說，極紫外光技術未來更可能將波長縮短至僅10奈米，而極紫外光技術應該會在2010年後正式步入量產階段。ASML目前亦獲得三張極紫外光設備訂單，預計於2009年底交貨。SST-AP/Taiwan
極紫外光技術白皮書
數十年來半導體的微影製程並不比之前描述的複雜太多。但現今的製程確實是變得非常複雜。如今ASML的掃描機已被推進到技術上的極限，並且運作於物理定律的邊緣。
但物理上的限制並不是半導體技術的唯一關鍵。還要考慮成本的問題。半導體技術的進化以及成本降低都有賴於晶片上線路的微小化。簡單來說，更細的線路可以容許在同一的空間裡放進更多的電晶體，且提高性能(電晶體的速度會隨著電晶體的縮小而增快)及增加更多的功能。或者也可以藉此來縮小晶片本身，而非用來增加晶片上的電晶體的數目。這樣就可以在同樣尺寸的晶圓上製造出更多的晶片，單一晶片的成本就會因此而降低。
一直以來，線路尺寸不斷在縮小─這就是“摩爾定律”持續不斷降低每個功能成本背後的動力。對於微影工程師而言，要曝印出越來越小的線路就需要到用到更短波長的光線─從1960年代的白光到1970年代紫外光，再到1980年代後期的“深紫外光”，在那時候第一種使用248奈米光源的微影系統已開始出現。現在最先進的系統則是利用193奈米的光源─但是與先前的系統不同的地方，就是現在的系統需要把等同於波長三分之一的最小元件結構曝印出來。這在十年前是一件被認為不可能的事，新一代的設備在技術上也將繼續面臨這重重的挑戰。
在每部ASML掃描機裡最先進技術機構之一就是有如木桶般大小、價值數百萬美元的鏡頭。現在唯一類似的光學技術只在間諜衛星裡才找得到。另一個具同樣關鍵性的技術就是掃描機能夠把每一層的電路與它下一層電路以接近完美的上下對準曝印出來。這稱為疊對規格的對準精確度是掃描機所能曝印最小元件結構的四分之一至三分之一。在ASML最先進的掃描機裡，這意謂著每一曝光步驟的疊對是7奈米─大概是21粒矽原子的大小─未來的需求將會更小。
ASML的步進機及掃描機還有其它先進技術提供晶片產業在縮小設計的同時仍能維持其收益。除了先進的鏡頭技術及晶圓對準，還有ASML TWINSCANTM平台的雙晶圓平台技術。ASML在1996就著手開發TWINSCAN，並且在2000年公開發表了第一部基於這技術的曝光系統。在TWINSCAN掃描機出現前，半導體微影系統只是利用單一晶圓平台，在晶圓曝光時，下一片晶圓只能在適當的位置等待。這就表示曝光的動作不能和測量端的晶圓對準同時發生。TWINSCAN的雙晶圓平台技術容許這測量獨立地運作，一片晶圓在曝光而另外一片晶圓可以同時被測量。藉此TWINSCAN的產能大大的地提升，並且ASML掃描機的效率及成本有效性因此而增加。雙晶圓平台技術也被證實很容易地應用於最新浸潤式的光學微影，這技術是把液體放在鏡頭組件的尾端及晶圓表面之間來提高解析度。
ASML開發它的雙晶圓平台技術及浸潤式技術是因為它的顧客們絲毫沒有顯露出要減緩微縮設計速度的跡象。換句話說摩爾定律仍然是適用的。但如果這產業要遵循這個定律且要繼續賺錢的話，它需要那些擁有可以儘快把技術從實驗室帶到生產線的能力及專門技術的夥伴們。這就是為何ASML如此致力於確保它的顧客們，在他們需要時就可以擁有它們所需要的微影技術。
籌劃下一代的微影技術
極紫外光微影(EUV)很可能接續半導體工業近幾年使用的深紫外光(DUV)微影光學技術。雖然ASML及其它技術領導者已把傳統的影像技術延伸至前所未見的領域，晶片製造業已開始準備極紫外光微影，很多人都相信這可能是在32奈米及以下的技術節點所必需的。
正如它在開發浸潤技術時一樣，ASML已獲得極紫外光微影開發的領先地位。 在2006年1月ASML在它位於荷蘭維多芬總部用Alpha版極紫外光微影示範工具(ADT)製成世上了第一個200奈米以下的影像。一個月後ASML在每年一次的國際光學工程協會的微細微影會議展示了以Alpha版極紫外光微影示範工具曝印的40奈米及35奈米元件結構的影像，揭露了這技術在製造32奈米的可能性。隨著在8月公司又遞交了兩部Alpha版示範工具給歐洲(比利時IMEC)及美國(紐約州Albany大學奈米科學和工程學院)的研究夥伴，這是這產業裡前所未有的，開創了極紫外光微影的里程碑。雖然這是ASML及產業界歷史性的成就，作為微影技術的領導者，早在七年多前，ASML就毫不懈怠地持續開發極紫外光微影技術。
ASML開發極紫外光微影技術的驅動力也同樣驅使著晶片微影及整體產業：正如在此討論的，晶片的縮小化不但增加它們的性能，更能使製造更為經濟。因此在過去數十年來微影技術的重點總是在如何把越來越小的電路製作到晶圓上。多年來得做法常常就是把曝光系統的光線波長降低。降低波長是一個增加掃描機/步進機解析度或製造更小的元件結構影像最直接的辦法。
還有其它兩個提高解析度的要素：數值孔徑(NA)及常常被簡稱為k1的製程因子。簡單地來說，數值孔徑與造像所使用光線的“亮度”有關，並且是直接被曝光系統的鏡片成分及其它光學元件影響。更高的數值孔徑就會使解析度更好，並且影像會更清楚。製程因子或k1值是一個數學的常數，與微影製程的難度是成為正比。在一個固定數值孔徑值的系統裡，那麼基本上更小的k1值就會形成更好的解析度。極紫外光微影主要的優點就是可以實現波長及數值孔徑的結合，這樣可以使k1值對達成更佳解析度的影響的重要性減少。極紫外光微影是不像當前最前端的技術，無需使用複雜的技巧來提高解析度，二階光罩及傳統的光學投射將可以再使用好幾個技術世代。
然而單純的改變系統所使用的光線波長並不是易如反掌。每次微影製程的光線波長縮短時，不僅是需要新的光源而是全部有關的基礎設施都需要更改。新鏡片、新光罩、新光阻、甚至新光學材料─都要一一開發並且要可以量產，這些都是會提高生產費用的。這就是為什麼這產業盡可能在數個技術世代裡使用已開發的波長，典型地是三或四代，只有當處理較小元件結構的難度太高或太昂貴時才會使用新的波長。這是ASML開發浸潤技術的原動力，這起碼可以延長193奈米技術及相關的基礎設施一代也許兩代的時間。這也是為何ASML與它的客戶及夥伴們同時在開發其他可以延伸193奈米技術的方法，例如雙圖樣微影。然而ASML仍然計劃確保極紫外光微影當在延伸193奈米技術的成本效果不彰或無法解決客戶最小元件結構設計要求時可以使用。
極紫外光微影：新時代隨著新科技來臨
從最廣義的觀點來說，極紫外光微影雖然常常被稱為下一代的技術，但因為它仍是使用光線在晶圓上製造影像，所以仍是一種光學技術。極紫外光微影系統仍然保有例如光源及光學成分等傳統步進機/掃描機的標準元件，且同樣需要與光罩一起使用在晶圓上製造電路圖形。
除了一般的觀念外，這些也是僅有的相似點。事實上ASML的極紫外光微影技術是一個技術大飛躍的指標。浸潤系統利用傳統雷射產生193奈米波長的深紫外光曝光光源，極紫外光微影則是利用離子化的氣體或電漿所產生的光線。在離子化過程中激發光的波長非常的短，祇有13.5奈米，遠遠短過肉眼可看見的光譜。ASML的Alpha版極紫外光微影示範工具將這激發的光線，透過一連串的反射光學鏡，將光罩上的圖案投射到晶圓上。
ASML運送到美國及歐洲的0.25數值孔徑全尺寸示範工具融合了大部份在TWINSCAN 平台驗證過的技術。ASML現在計劃使用 TWINSCAN 平台來建造未來的極紫外光微影系統，但是正如它名字的意涵，很多Alpha版示範工具的元件仍在開發中並且需要改良。ASML在開發Alpha版示範工具時遭遇到一些極紫外光微影帶來的技術性挑戰，在把技術導入生產的過程中ASML仍需繼續面對這些挑戰，不像其他所有現在仍在使用的微影生產系統，極紫外光微影架構於真空的技術上，因為全部的材料、包括空氣都吸收電漿所產生的光線。
為了要最早把極紫外光微影系統帶來給它的客戶們，ASML不只要創造一個真空的環境，並且要把新的電漿光源最佳化、特別調整光學系統以提供最大的能量及最低的污染或對光的吸收，例如包括在光學系統裡的鏡子及反射式光罩一定要研磨到完美的地步，真空的環境也需要在無法使用保護膜的情況下來保護光罩，以便將光源的吸收減到最小。在ASML工程師面臨於這些嚴峻的挑戰時，產業裡的夥伴們正在開發極紫外光微影所需的基礎設施：電漿光源、光罩及光阻。
ASML的Alpha版極紫外光微影示範工具的裝運是由一組分別從ASML、卡爾蔡司(Carl Zeiss)及研究夥伴荷蘭應用科學研究組織(TNO Science and Industry) 及 飛利浦應用科技 (Philips Applied Technology) 挑選出來大約250人的團隊，總共花了1,200個人工年的重大成就。密集的研究繼續在進行中，因為許多產業界的觀察者及ASML自已的客戶都相信32-nm元件的研發及量產也許在2009年時就需要用到極紫外光微影的步進機及掃描機。一如往常，ASML會確保這項微影技術的躍進會在客戶需要的時候就已準備好。SST-AP/Taiwan
圖一：2006年獲得SEMI Award的ASML市場暨技術行政副總裁Martin van den Brink
圖二：雙晶圓平台與單晶圓平台流程示意圖(資料來源：ASML)
半導體科技/文/ASML 摘錄整理/于嘉言/荷蘭維荷芬(Veldhoven)採訪報導
半導體科技 No.70 發行時間：2007/8
http://ssttpro.acesuppliers.com/meg/meg_1_4023122820071619285876806_8318.html
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