a4112

近來雖說全球標準型DRAM仍處魚蚌相爭階段，不過為搶奪下世代先進MRAM市場，韓美日半導體大廠相已相繼投入，據了解，三星電子(Samsung Electronics)與海力士(Hynix)、東芝(Toshiba)與富士通(Fujitsu)以及IBM均已投入大筆資金，台灣MRAM技術可說與各國半導體大廠平起平坐，主要由台灣工研院領軍與台積電(2330)共同合作，第1顆STT-RAM可望在2008年底正式產出。

據了解，由於MRAM兼具DRAM與快閃記憶體(Flash)2大主流記憶體產品特色，因此已被視為下世代主流記憶體產品之一，為此歐美日各大半導體廠更是摩拳擦掌，計劃搶進MRAM市場。據悉，日前已傳出當前南韓2大記憶體大廠三星電子(Samsung)與海力士(Hynix)，雙方將共同攜手開創第2代MRAM商品STT-RAM。

初步規劃自2007年起，一直2011年底為止，雙方將共同投入約90億美元資金用於研發STT-RAM，除此之外，南韓政府為持續維持先進記憶體龍頭地位，預計投入525億韓元，研發STT-RAM商品。

東芝半導體與富士通以及NEC等日本半導體大廠，雖說已陸續退出DRAM市場，不過也自2006年宣布，2006~2010年為止，總共將投入約30億日圓研發STT-RAM，除此之外，IBM為使自家系統產品得以採用MRAM，因而也已投入大規模研發費用。

工研院電光所奈米電子技術組組長高明哲表示，工研院所與台積電所共同發展的STT-RAM屬於第2代MRAM產品，自投入到真正有產品產出僅花不到1年半時間，最重要的是工研院所花費資金與國際半導體大廠如IBM、三星電子等相較，僅佔其1,000分之1。

台灣第2階段MRAM應自2007年下半起，一直到2008年上半為止，該階段台積電已正式導入MRAM量產計畫，目前估計STT-RAM將於2008年7月完成設計，至2008年底將會正式完成第1顆MRAM產出，目前初步規劃前段將交由台積電負責生產，後段部分則由工研院擔綱，且為與國際半導體大廠相競爭，現已與台積電洽談MRAM下1階段發展計畫。

高明哲進一步表示，事業上台灣MRAM在第1階段時便已有產品發表，像是曾發表1kb MRA(Astroid)版本，以及1Mb的(Astroid、Toggle)版本，至第2 STT-RAM階段，台積電與工研院所研發記憶體產品也相當具競爭優勢。
DIGITIMES 吳宗翰／台北 2008/04/02